키파운드리는 국내 팹리스 업체 큐버모티브에 2세대 0.13마이크로(㎛) 내장형 플래시 메모리에 고전합 옵션을 추가한 하이브리드 공정을 제공한다고 22일 밝혔다.
통합 반도체 생산에 적합한 공정으로 멀티 기능을 제공한다. 큐버모티브는 2017년부터 이 공정으로 와이드 터치형 반도체를 개발해왔다.
키파운드리는 2세대 0.13㎛ 내장형 플래시 공정에 20V 고전압, 30V 고전압, 40V BCD를 추가해 다양한 하이브리드 공정을 제공하고 있다. 키파운드리가 큐버모티브에 제공한 2세대 공정은 1세대 공정 대비 칩 성능을 개선하고 칩 공정 단계도 축소해 제조 경쟁력도 높였다. 고전압이 추가된 하이브리드 공정은 옵션이 추가되더라도 기존의 내장형 플래시의 특성과 신뢰성은 유지되는 것이 특징이다.
이태종 키파운드리 대표는 “키파운드리 하이브리드 공정을 이용해 큐버모티브가 와일드 터치 IC 양산에 돌입한 것을 기쁘게 생각한다”며 “키파운드리는 고객이 필요한 공정을 사전에 센싱하고 개발하면서 다양한 제품의 설계가 가능한 파운드리 서비스를 지속 제공할 계획”이라고 말했다.
키파운드리는 2세대 0.13㎛ 내장형 플래시 이어 0.11㎛ 공정도 개발하고 있다. 새해 2분기 개발을 완료할 예정이며 차량용 반도체에 적용 가능한 공정을 제공할 예정이다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
