기술연구·생산공정 임직원 머리 맞대
128단 적층 6세대 제품 양산 극대화
싱글 스택 공법 개선…수율 향상 총력
기술 우수성·가격 경쟁력 '두 토끼 몰이'
삼성전자가 낸드플래시 '초격차' 달성을 위한 시동을 걸었다. 지난해 발표한 6세대 낸드플래시 양산 경쟁력을 끌어올리기 위해 태스크포스(TF)를 꾸린 것으로 확인됐다. 삼성전자는 128단으로 적층된 낸드플래시를 한 번에 구멍을 뚫는 채널 홀 공정을 적용했다. 고난도 기술이지만 양산 과정에서 불량품을 최대한 줄이고 양품 비율을 높이기 위해 총력을 기울이는 것으로 풀이된다.
17일 업계에 따르면 최근 삼성전자는 6세대 낸드플래시 수율을 올리기 위한 TF를 구성했다. 이 TF는 삼성전자 DS부문 내 생산기술연구소 인력과 실제 양산 라인에서의 생산 공정을 책임지는 부서 임직원이 모여 꾸린 것으로 파악됐다. 생산기술연구소는 삼성전자 반도체 양산 공정에서 발생하는 문제를 해결하면서 향후 생산성을 극대화할 반도체 기술을 확보하는 곳이다.
이곳의 핵심 인력을 낸드 생산 쪽으로 급파해서 TF를 별도 운영하는 것은 그만큼 초고적층 6세대 낸드플래시 수율을 최대한으로 끌어올리기 위한 목적이란 게 업계 분석이다.
최근 낸드플래시업계에서는 적층이 곧 경쟁력이다. 정보 저장 공간을 층층이 쌓을수록 메모리 용량이 늘어나기 때문이다. 삼성전자는 지난해 8월 6세대 낸드플래시 개발 완료를 발표하면서 이 제품을 100단 이상 낸드플래시에 싱글 스택 공법을 업계 최초로 도입했다고 소개했다.
싱글 스택이란 적층 사이의 전기적 연결을 위한 채널 홀(구멍)을 한 번에 뚫는 공법을 말한다. 두 번에 나눠 채널 홀을 뚫는 더블 스택 공법도 사용되고 있다. 그러나 더블 스택은 같은 공정이 2회 반복되는 탓에 생산 비용이 싱글 스택 기술보다 많게는 30%까지 상승하는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 기술 우수성과 가격 경쟁력 등 두 마리 토끼를 동시에 잡기 위해 6세대 낸드플래시에 싱글 스택 공법을 적용했다.
그러나 기술 난도가 높은 만큼 양산이 어렵다. 게다가 6세대 낸드플래시에 채널 홀을 뚫는 에칭 시간이 전 세대(96단) 낸드 공정보다 두 배 이상 소요되는 것으로 알려졌다. 삼성전자는 이 같은 한계를 극복하기 위해 TF를 가동한 것으로 풀이된다. 경쟁사의 추격을 따돌리고 초격차를 시현하기 위해서다.
업계 관계자는 “삼성이 싱글 스택 기술로 차세대 낸드플래시의 가격 경쟁력은 확보했지만 만족할 만한 수율 확보에는 시간이 필요한 것으로 알고 있다”면서 “칩 설계보다 생산 공정을 더 개선할 수 있을 것으로 보고 조직을 꾸린 것으로 보인다”고 전했다.
이에 따라 새로운 TF는 '초격차' 시현을 목표로 하는 삼성전자 낸드플래시 사업부에 상당히 중요한 역할을 하게 될 것으로 보인다.
삼성전자는 세계 낸드플래시 시장에서 30% 이상의 점유율로 독보하는 1위 업체다. 그러나 최근 중국 YMTC, 미국 인텔 등 신흥 강자들이 100단 이상의 초고적층 낸드플래시를 들고나오면서 삼성을 뒤쫓고 있다.
삼성전자 관계자는 TF 구성에 대해 “회사의 세부 인사 조직에 대해서는 확인해 주기 어렵다”고 말했다.
강해령기자 kang@etnews.com
