로옴(ROHM) 주식회사는 메인 인버터를 비롯한 자동차 파워 트레인 시스템 및 산업기기용 전원에 최적인 '1200V 제4세대 SiC MOSFET'를 개발했다.
파워 반도체는 ON 저항을 저감하면 단락 내량 시간이 짧아지는 트레이드 오프 관계가 있어, SiC MOSFET의 낮은 ON 저항화와 단락 내량 시간을 동시에 확보하기 어려웠다.
이번에 개발한 신제품은 독자적인 더블 트렌치 구조를 더욱 진화시킴으로써, 단락 내량 시간을 악화시키지 않고 트레이드 오프 관계를 개선했으며 기존품 대비 단위 면적당 ON 저항을 약 40％ 저감했다.
또한 스위칭 시의 과제였던 기생 용량을 대폭 삭감함으로써, 기존품 대비 스위칭 손실을 약 50％ 삭감하는 데 성공했다.
이처럼 낮은 ON 저항, 고속 스위칭을 겸비한 제4세대 SiC MOSFET는 차량용 인버터 및 각종 스위칭 전원 등 다양한 어플리케이션의 극적인 소형화 및 저소비전력화에 기여한다.
본 제품은 6월부터 베어 칩의 샘플 제공을 순차 개시했으며 향후 디스크리트 패키지로 샘플을 제공할 예정이다.
전자신문인터넷 유은정 기자 (judy6956@etnews.com)
