한국전자통신연구원(ETRI·원장 김명준)이 개발한 '질화갈륨(GaN) RF·전력 소자 기술은 다양한 차세대 GaN 전력반도체 활용을 위한 기술이다.
5세대(G) 이동통신이나 위성통신, 군수 레이더에 활용되는 GaN 고출력 전력증폭기 소자에 쓸 수 있다. 고출력 RF 전력증폭기 소형화와 고효율화를 실현할 수 있는 핵심 기반이 된다.
전기자동차나 데이터센터, 무선충전용 전력 모듈에도 쓸 수 있다. 여기에 적합한 차세대 전력 스위칭 소자 역할을 한다. 이 기술은 주요 국산화 사례 가운데 하나다. GaN RF 전력증폭기는 그동안 대 일본 의존도가 매우 높았다. 일본 스미토모사가 42% 시장을 점유하고 있다. 개발 기술은 국내 최초로 GaN 4인치 전력소자 에피·설계·공정·분석 등을 일괄 포함한 것도 특징이다.
GaN 분야 연구개발(R&D) 경험도 풍부하다. 다른 화합물까지 따지면 역사는 지난 1991년까지 거슬러 올라간다. 관련 SCI급 논문만 수십건이고, 특허도 70~80건 출원했다.
현재 GaN 소자 관련 기술준비수준(TRL)은 6~7단계다. 기술이전을 통해 바로 상용화 가능하다. 이미 수차례 시연으로 기능과 성능을 입증한 상태다.
강동민 ETRI 박사는 “이 기술은 다양한 분야에 쓰일 수 있다”며 “오랜 연구 끝에 우수성을 인정받았고 해외 기술에 대한 국산화 사례여서 상용화 시 활용도가 매우 높다”고 말했다.
대전=김영준기자 kyj85@etnews.com
