인텔이 미국 오리건주 팹 확장 계획을 공식화했다. 올해부터 증축을 시작, 이르면 내년 하반기 7나노(㎚) 공정을 활용한 중앙처리장치(CPU) 생산 기지로 확장할 것으로 보인다.
7일 외신과 업계에 따르면 인텔은 오리건주 힐스보로에 있는 팹(공장) 인근 주민 50여명에게 D1X 제조 단지 대규모 증축 계획을 통보했다. 인텔은 올해부터 D1X팹 3단계(페이즈2) 생산라인을 구축할 계획이다. 규모는 기존 페이즈1, 페이즈2와 유사한 수준이다. 새로운 팹은 약 110만평방피트(약 3만1000평)로 추정된다. 인텔은 실제 생산능력과 구축 공정 등 구체적인 사항을 추가 공개해야 한다.
인텔은 이미 지난해 말 시설 확대에 대거 투자할 방침이라고 밝혔다. 그러나 세부 투자 계획을 공개한 것은 처음이다. 앤 켈러허 인텔 부사장은 당시 공식 웹사이트에 “오리건, 아일랜드, 이스라엘에 있는 생산시설을 확장하기 위한 초기 계획 단계로 내년부터 수년에 걸쳐 건설이 진행될 것”이라고만 언급했다.
현지 외신은 새로운 시설에 극자외선(EUV)·심자외선(DUV) 노광 공정을 활용한 7나노 CPU 생산장비가 들어설 것으로 보고 있다. 두 공정을 이용하면 더욱 미세한 공정으로 반도체 칩을 생산할 수 있어 생산성과 성능이 향상된다. 인텔은 이미 1년 전 이 공정을 활용한 칩 생산 계획을 발표했다.
인텔이 올해 4분기 10나노 CPU 양산을 시작하는 점을 감안하면, 7나노 공정은 일러야 내년 하반기는 돼야 나올 것으로 전망된다. 인텔은 이스라엘과 오리건 팹 가운데 2곳에 10나노 제조 공정을 활용한 CPU와 기타 제품 생산을 준비하고 있다. 10나노 제품 수요 등이 추후 오리건 공장 향방에 영향을 미칠 것으로 예상된다.
인텔은 오리건주 이외에도 이스라엘, 아일랜드 등 세계 각지에 있는 팹 확장도 추진하고 있다. 최근 모세 칼론 이스라엘 재무장관은 인텔이 현지 공장 설립에 110억달러 규모를 투자할 것이라고 밝혔다.
오대석기자 ods@etnews.com
