태양광발전 효율을 최대로 끌어올릴 수 있는 반도체가 등장했다.
일본 르네사스일렉트로닉스(대표 츠루마루 테츠야)는 8세대 절연 게이트 양극형 트랜지스터(IGBT) G8H 시리즈를 새로 선보였다. IGBT는 태양광 발전 파워 컨디셔너나 무정전전원공급장치 인버터에 쓰이는 반도체다.
이 시리즈는 전력변환 손실을 최소화해 효율을 최대로 끌어올린 게 특징이다.
르네사스는 이를 위해 독자적인 트렌치 게이트 구조를 채택했다.
태양광으로 생성한 직류(DC) 전기를 교류(AC)로 변환하면서 발생하는 손실을 줄인 것이다. 서버룸이나 데이터센터에서 사용되는 무정전전원공급장치에서는 전력변환 회로를 경유하면서 발생하는 손실을 최소화했다. 이전 7세대 IGBT에 비해 성능을 최대 30% 개선했다.
노이즈도 크게 줄여 이에 필요했던 외부 게이트 저항도 감소했다.
최대 175도에서도 사용 가능하다.
신제품은 650V급으로 40A·50A·75A 3개, 1250V급 25A·40A·75A 3개 등 총 6개다. 인버터 회로 방식이나 출력 용량에 맞춰 제품을 선택할 수 있다고 회사 측은 설명했다.
양산은 오는 9월부터 시작한다. 내년 3월 월평균 60만개를 생산할 예정이다.
유창선기자 yuda@etnews.com
