HGST한국(지사장 신동민)은 미국 캘리포니아에서 열리는 ‘2014 플래시메모리 서밋(2014 Flash Memory Summit)’에서 새로운 솔리드스테이트드라이브(SSD)용 아키텍처를 공개한다고 8일 밝혔다.
최신 비휘발성 메모리 컴포넌트와 인터페이스 프로토콜을 결합, SSD의 성능을 향상시킬 수 있는 신기술을 적용했다. 컴포넌트로는 45나노(㎚) 1GB PCM(Phase Change Memory)이 들어갔다. PCM은 낸드(NAND) 플래시보다 읽기 속도가 빠른 고밀도 비휘발성 메모리의 일종이다. 서버와 소프트웨어(SW) 애플리케이션에 적용할 수 있도록 독자 컨트롤러 기술로 인터페이스의 지연율을 낮췄다.
이 아키텍처를 기반으로 한 PCle 기기는 대기환경에서 데이터를 초당 512바이트로 전송했을 때 300만 입출력속도(IOPS)에 달한다. 비대기환경에서는 랜덤지연율이 1.5마이크로초(㎳)에 불과하다. PCIe는 고속 입출력 인터페이스 솔루션의 일종으로 낸드 플래시 성능을 끌어올리는데 중요한 역할을 한다.
스티브 캠벨 HGST 최고기술책임자(CTO)는 “기존 SSD 아키텍처와 낸드플래시보다 수십 배 이상 빠른 속도와 새로운 블록 스토리지를 구현할 수 있다”며 “SW·시스템용 아키텍처 개발에 탄력을 받을 것”이라고 말했다.
김주연기자 pillar@etnews.com
