SK하이닉스(대표 박성욱)는 18일(현지시각) 미국 새너제이 법인에서 ‘2014 SK하이닉스 초고속 메모리(HBM) 심포지엄을 개최했다고 밝혔다.
이번 행사에는 주요 반도체 관련 업체 20곳에서 100여명이 참가해 SK하이닉스의 HBM 기술에 많은 관심을 보였다.
SK하이닉스는 지난해 말 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 HBM을 개발한 바 있다. 이번 심포지엄에서는 중장기 HBM 로드맵을 소개하고, 여러 업체에 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 제안했다.
HBM 개발에 참여하는 협력사들도 이번 심포지엄에 대거 참가했다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저 위에 시스템온칩(SoC)와 시스템인패키지(SiP) 형태로 구성된다. 이에 따라 칩세트 , 파운드리, 패키징, 완제품 업체간 협력이 중요하다.
SK하이닉스는 TSV 기술로 20나노급 D램을 4단 적층한 제품을 양산할 수 있는 기술을 확보했다. 1.2V 작동 전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현한다. 1024개의 정보출입구(I/O)로 초당 128GB의 데이터를 처리할 수 있다. 고사양 그래픽 시장을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등에 활용될 것으로 기대된다.
강선국 SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 수석은 “다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 HBM에 대한 상호 이해를 높일 수 있는 좋은 기회였다”며 “협력 관계를 더욱 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품인 HBM 시장을 선도해 나가겠다”고 말했다.
이형수기자 goldlion2@etnews.com
