각기 다른 방식의 이동통신 기술을 하나의 단말기에서 구현해주는 휴대전화 핵심 부품을 국내에서 자체 양산하는 길이 열렸다. 나노종합기술원은 지난 19일 국내 최초로 개발한 `실리콘온인슐레이터(SOI) 기반의 모바일용 고주파(RF) 반도체 양산 제조기술`을 아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체에 이전하는 계약을 체결했다고 22일 밝혔다.
이번 성과는 미래창조과학부의 나노·소재 기술개발사업 중 `선행공정지원사업`의 일환으로 추진됐다. 기술원은 지난 2010년 하반기부터 자체적으로 기술개발에 착수, 불과 2년 만에 양산공정 개발에 성공했다. 이전 기술은 최근 2∼3년 전부터 주목을 받아온 `SOI RF CMOS 제조기술`이다. 이는 모바일기기 FEM(Front End Module)의 핵심 부품인 앰프와 스위치, 튜너의 생산을 지원한다. 기술원은 공정수를 타사 대비 30% 이상 절감해 제조 단가 및 공정시간을 획기적으로 단축했다.
현재 미국의 IBM과 타워-재즈, 대만의 TSMC 등 해외 파운드리 기업만 이 기술을 공개적으로 제공해 그동안 국내 팹리스 설계기업은 제품생산을 위해서는 해외에 의존할 수밖에 없었다. 하지만 이번 기술이전으로 국내 관련 기업은 기술원에서 제공하는 연구개발 및 시제품 제작 지원을 받을 수 있을 뿐만 아니라, 국내 전문 파운드리 기업인 매그나칩을 통해 제품생산을 할 수 있게 된다.
기술원은 제품양산에 따른 매출액의 일정부분을 로얄티로 확보, 자체수입 증대에도 기여할 것으로 기대했다. 이재영 기술원장은 “이번 기술이전은 대기업에서 활용 가능한 양산 제조기술을 국가나노인프라 기관이 개발한 대표적인 성공사례며, 앞으로도 나노 기업이 필요로 하는 상용화 기술을 적극적으로 개발해 사업화로 연결할 계획”이라고 말했다.
이태종 매그나칩 부사장은 “나노기술원으로부터 0.18um SOI RF CMOS 반도체 양산기술을 이전받아 그동안 축적해 온 공정기술 노하우와 결합해 향후 차별화된 기술 포트폴리오를 지속 확대해 고객들에게 공급할 것”이라고 밝혔다.
FEM(Front End Module) = 휴대폰 안테나 바로 다음에 위치하는 모듈. 고주파 스위치(RF Switch), 여파기(Filter), 전력 증폭기(Power Amplifier)를 비롯해 이들을 제어하는 제어회로로 구성된다. 현재는 각 부품을 따로 만들어 모듈로 제작하고 있으나, 앞으로는 여파기를 제외한 나머지 부품들은 SOI CMOS 웨이퍼 상에서 단일 칩으로 집적될 전망이다.
류경동기자 ninano@etnews.com
