삼성전자, 내년 초고속 낸드 플래시 양산

삼성전자는 기존 범용 낸드플래시에 비해 속도가 10배 빨라진 차세대 낸드플래시를 내년부터 양산한다고 22일 밝혔다.

이 제품이 적용되는 내년부터 스마트폰·태블릿PC 등에 저장된 동영상·사진·음악 등의 재생속도는 한층 더 빨라질 것으로 기대된다.

삼성전자는 400Mbps 속도로 데이터 처리가 가능한 ‘토글(Toggle) DDR2.0’ 규격의 낸드 플래시 개발을 최근 완료하고 내년부터 양산에 들어갈 예정이다.

삼성전자는 20나노급 이하 낸드플래시 전 제품에 토글 DDR2.0 기술을 적용해 출시할 예정이다. 토글 DDR2.0 낸드플래시는 기존 SDR 방식의 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도 40Mbps에 비해서는 10배, 133Mbps인 토글 DDR1.0 방식 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠르다.

삼성전자는 제품 양산과 함께 이 규격이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 JEDEC(세계반도체표준협의기구) 표준 등록을 제안했으며 내년 초까지 등록을 완료할 계획이다. 삼성전자와 낸드플래시 시장을 양분해온 일본의 도시바도 토글 DDR2.0의 표준화 작업에 참여키로 결정한 바 있다.

전동수 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 “삼성전자는 지난해 11월 30나노급 고속 낸드플래시를 최초로 양산하는 등 고성능 낸드플래시 시장 성장을 주도해왔다”며 “앞으로 고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰·태블릿PC·SSD 등 여러 제품에 탑재되는 등 수요가 크게 증가해 낸드플래시 시장을 성장을 이끌 것”이라고 말했다.

유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr