로옴, SiC 이용 쇼트키 배리어 다이오드 양산

로옴세미컨덕터코리아(대표 요시가와요시히로)는 탄화규소(SiC) 소재를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 국내에 공급한다고 7일 밝혔다.

이 제품(모델명:SCS110A시리즈)은 전압이 순방향에서 역방향으로 변할 때 순간적으로 역방향 전류가 흐르는 시간이 15나노초(nsec)로 기존 실리콘 제품에 비해 절반에서 3분의 1까지 줄었다. 발열량이 적기 때문에 방열판을 소형화 시킬 수 있고 종전 로옴의 SBD 제품에 비해 칩 크기가 15% 가량 작다. SiC를 사용한 SBD는 전기자동차(EV)와 하이브리드 자동차(HEV), 에어컨 등 전력 변환 인버터·컨버터·역률 보정회로가 쓰이는 다양한 분야에 적용된다.

로옴은 전력을 변환할 때 반도체에서 전력 손실을 줄이기 위해 실리콘 대신 SiC 소재를 이용한 전력용 반도체 연구를 해왔다. 지난 2004년에는 SiC를 이용한 모스펫(MOSFET) 제작에 성공했다. SBD 분야에서는 지난 2005년부터 SiC 제품을 출시했고, 웨이퍼 제조업체인 독일 사이크리스털을 인수했다.

로옴은 향후 SiC반도체를 차세대 반도체 사업의 주요 기술로 선정하고 SBD, MOSFET, SiC반도체를 내장한 인텔리전트 파워모듈(IPM) 등 제품 생산을 늘릴 계획이다.

오은지기자 onz@etnews.co.kr