삼성전자는 세계 최초로 20나노 급 공정을 적용한 32Gb MLC(멀티레벨셀) 낸드플래시를 이 달부터 양산했다고 19일 밝혔다.
인텔과 마이크론의 합작사인 IMFT, 하이닉스가 20나노급 제품 개발을 이미 발표했으나 양산 시기는 각각 2분기, 3분기인 점을 감안하면 결국 세계 최초 20나노 양산의 명예는 삼성전자에 돌아가게 됐다. 현재 플래시 메모리 손익분기 공정은 대략 50나노여서 삼성전자는 이 제품 출시로 경쟁사와의 수익경쟁에서 앞서갈 수 있는 기반을 마련하게 됐다.
삼성전자는 우선 20나노급 MLC 낸드플래시를 적용한 ‘SD 카드’ 제품을 출시했다. 이 회사는 20나노급 MLC 낸드 제품의 생산 비중을 지속적으로 늘려 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정이다. 또 휴대폰 등 정보기기에 적합한 MMC(멀티미디어카드)규격의 ‘모비낸드(moviNAND)™’까지 20나노급 제품을 적용, 기존 30나노급 낸드플래시 시장을 적극 전환해 나갈 계획이다. 이번에 개발한 20나노급 제품은 30나노급과 비교해 생산성이 약 50% 높다. 특히, 삼성전자의 20나노급 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB 이상 용량의 ‘SD 카드’제품은 메모리 카드 중에서 최고 쓰기 속도인 10MB/s 이상을 구현했다.
삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “생산성과 성능을 동시에 높인 20나노급 MLC 낸드플래시를 양산함으로써 고객들의 요구에 적극 대응할 수 있게 됐다”며 “올해 이 제품을 통해 스마트폰용 대용량·고성능 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리 카드 시장을 선점해 나갈 계획”이라고 밝혔다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr
