삼성전자, 세계 최초 40나노 4Gb DDR3 양산

　삼성전자(대표 최지성)가 40나노 공정을 적용한 4기가비트(Gb) DDR3 D램 양산에 들어갔다고 24일 밝혔다. 4Gb 용량 DDR3 제품의 양산과 40나노 공정 적용 모두 세계 최초다.

　삼성전자는 50∼60나노급 생산이 주력인 경쟁사에 비해 미세공정에서 한발 앞서가게 돼 매출과 순익에서 앞서갈 기반을 마련했다고 밝혔다. 하반기에는 30나노급 D램까지 양산, 원가 절감의 핵심인 미세공정에서 계속 앞서가겠다는 전략이다.

　삼성전자는 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 4Gb DDR3 D램을 개발했으나 양산에는 40나노급 최신 공정을 적용했다. 삼성전자는 이 양산제품을 △서버용 32Gb, 16Gb 모듈 △워크스테이션·데스크톱PC용 8Gb 모듈 △노트북 PC용 8Gb 모듈 등 기존 대비 용량이 두 배인 대용량 메모리 모듈용으로 공급할 예정이다.

　4Gb 제품은 기존 동일 용량의 2Gb 메모리를 사용한 모듈 제품에 비해 소비전력이 35%가량 절감된다. 서버에서 총 96Gb 용량의 D램 메모리를 사용할 경우 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용한 모듈은 210와트(W)의 전력을 소비하지만 40나노급 2Gb DDR3 D램은 55W로 약 75%를 절감할 수 있으며, 40나노급 4Gb DDR3 D램은 36W에 불과하다.

　60나노급 제품보다 약 83%, 40나노급 2Gb DDR3 D램보다 35%나 더 절감할 수 있어 데이터센터 소비전력을 10% 가까이 절감할 수 있다고 삼성전자는 설명했다.

　전동수 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장(부사장)은 “불과 7개월 만에 용량이 두 배인 4Gb DDR3 D램을 양산, 프리미엄급 PC, 노트북, 서버 등 대용량 메모리를 원하는 고객들의 요구에 맞출 수 있게 됐다”고 말했다.

　삼성전자는 이번 양산을 계기로 서버 및 PC 용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올릴 계획이다.

　유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr