“삼성전자, 차세대 반도체 공정에 듀테륨 활용”

삼성전자가 차세대 반도체 소자 공정에 중수소(듀테륨)를 활용할 수 있는 기술을 연구한다고 외신들이 전했다.

28일 외신에 따르면 삼성전자는 최근 미국 일리노이어바나 대학과 반도체 제조 공정에 듀테륨을 활용할 수 있는 기술 특허 계약을 체결했다.

이 특허 기술은 고밀도·고집적 소자의 가장 큰 기술적 문제로 꼽히는 ‘핫­-캐리어(고온반송자) 효과’를 해결할 수 있는 것이라고 대학 측은 설명했다. 고온반송자 효과는 회로의 집적도가 높아지면서 발생하는 대표적인 단채널 효과중 하나로, 회로의 오작동과 수명 저하 등을 야기시킨다.

삼성전자는 이번 계약으로 일리노이어바나 대학이 보유한 특허 기술을 특허권 유효기간 동안 사용할 수 있게 됐다. 일리노이어바나 대학은 반도체 소자 공정에서 듀테륨 사용 기술에 관한 특허를 미국내에서 5건, 한국에서도 1건을 각각 보유중이다.

서한기자 hseo@etnews.co.kr