日 엘피다, 40나노 DDR3 전격 양산

　일본 엘피다가 시장의 예상을 깨고 이달부터 40나노급 DDR3 D램 양산에 착수한 것으로 알려졌다.

　23일 관련 업계에 따르면 엘피다는 40나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 자사 히로시마 공장에서 양산하고 있다고 밝혔다. 엘피다는 22일 보도자료에서 이 같은 내용을 공식 발표했다. 엘피다 측은 “지난 10월 40나노 공정으로 2기가비트 DDR3 D램을 개발한 데 이어 2개월 만에 양산을 시작했다”고 설명했다.

　40나노급 DDR3는 그동안 전 세계에서 삼성전자와 하이닉스만 생산해온 차세대 D램이다. 삼성전자는 지난 7월 업계 최초로 대량 생산을 시작한 데 이어, 하이닉스는 지난 11월 양산을 시작했다. 반면에 엘피다는 올해 60나노 제품만 생산했고 40나노 공정 도입도 새해 상반기에나 가능할 것으로 전망됐다.

　이 때문에 국내기업들과 엘피다의 격차는 기술적으로 2세대 이상, 시간적인 측면에서는 1년 정도 벌어졌다는 게 그동안의 업계 중론이었다. 하지만 엘피다가 예상보다 일찍 40나노 공정을 도입함에 따라 이러한 격차는 재평가될 것으로 보인다.

　또 엘피다는 이날 히로시마 공장 양산에 이어 내년 2분기(회계연도 기준, 7∼9월)에는 자회사인 대만 렉스칩에서도 40나노 DDR3를 생산하겠다고 밝혀 새해 DDR3 시장 지배력을 이어가려던 삼성전자와 하이닉스의 계획에 적잖은 변수가 될 가능성이 있다.

　국내업체들은 촉각을 곤두세우면서도 신중한 반응을 보였다. 업계 한 관계자는 “구체적인 내용을 파악해야 알 수 있겠지만 40나노 공정 도입이 예상보다 빨리 이뤄진 것 같다”고 전했다. 그러나 이 관계자는 “반도체 공정에서 한 세대를 뛰어넘는 것은 쉽지 않은 문제”라며 “엘피다가 50나노를 건너뛰어 40나노 양산에 들어갔다고 밝혔지만 수율 문제 등이 있기 때문에 좀 더 지켜봐야 할 것”이라고 덧붙였다.

　40나노 기술은 사람 머리카락의 3000분의 1 굵기로 반도체 회로작업을 하는 초미세 가공 기술이다. 반도체는 공정이 미세해질수록 생산성이 높아지고 가격 경쟁력도 향상돼 경쟁력을 평가하는 잣대가 되고 있다.

　윤건일기자 benyun@etnews.co.kr