웨이퍼 두께 10㎛까지 얇아진다

　웨이퍼 두께를 최소 10㎛(마이크로미터)까지 줄일 수 있는 기술과 장비를 국내 중소기업이 개발했다.

　이 기술을 활용하면 반도체 두께를 기존 6분의 1까지 줄여 웨이퍼 적층을 통한 메모리 용량을 최고 6배까지 높일 수 있다. 일본업체들이 장악해 온 웨이퍼 후면가공 시장에 국산 바람이 일 전망이다.

　수원 동탄 소재 반도체 장비 업체인 프리시스(대표 서진천)는 3일 지난 1년 6개월 동안 20억여원을 투자해 웨이퍼 두께를 30∼10㎛까지 줄일 수 있는 초박막화 장비인 웨이퍼시닝시스템(WTS:Wafer Thining System)을 개발했다고 밝혔다.

　개발 장비는 특수 화학물질을 이용해 웨이퍼 후면을 녹여내는 케미컬 에칭 방식이다. 기존 그라인딩 방식의 문제점인 충격으로 인한 손상이 전혀 없는 것이 특징이다.

　가공한 웨이퍼 두께 편차가 3㎛ 이내에 불과해 안정성이 높다. 식각속도도 한 번(30초)에 30㎛까지 가능해 수율을 획기적으로 높일 수 있다. 기존 그라인딩 방식은 웨이퍼를 기구적으로 갈아내는 것으로 두께를 80∼70㎛까지 줄이는 것이 한계였다. 그라인딩 시의 충격으로 표피에 손상이 가 수명이 줄어들고 휘어짐 현상이 발생하는 문제도 있었다.

　프리시스는 삼성전자와 하이닉스 등에는 자금 투자를 받아 공동 개발하는 전략적 기술제휴(JDP) 방식으로 이 장비를 공급하고, 한꺼번에 많은 물량이 필요하지 않은 소형 업체에 웨이퍼를 30㎛ 이하의 두께로 초박막화해주는 서비스를 제공할 계획이다.

　서진천 사장은 “최근 일본과 중국 반도체 업체들의 장비 발주 문의가 줄을 잇는 등 해외서 높은 관심을 보이고 있지만 우리 업체에 우선적으로 제공할 방침”이라며 “최근 국내의 한 대기업과 최종 테스트를 진행하고 있다”고 밝혔다.

　수원=김순기기자 soonkkim@etnews.co.kr