차세대메모리 제조기술 공동 개발

　한국기계연구원(원장 이상천)과 바른전자(대표 윤석원)는 차세대 메모리 제조 기술 공동 개발을 위한 양해각서(MOU)를 교환했다고 15일 밝혔다.

　양측은 최근 부상하고 있는 ‘TSV(Through Silicon Via)’ 공정 기술 및 장비 상용화를 추진할 계획이며 학술정보 교류, 연구 지원 등을 함께 하기로 했다.

　TSV란 웨이퍼에 관통 전극을 형성, 칩을 적층하는 기술로 패키지 기판과 웨이퍼 칩을 연결하기 위한 본딩 와이어가 필요 없다. 공정이 단축돼 생산성 향상과 원가 절감 효과가 있다.

　이상천 원장은 “스토리지·ASIC·반도체 센서 등 종합 반도체 전문회사로 성장 중인 바른전자와의 이번 협력은 국내 반도체산업 기술 경쟁력 향상에 큰 보탬이 될 것”이라고 말했다.

　윤건일기자 benyun@etnews.co.kr