하이닉스, 저전력 1Gb DDR3 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 1Gb DDR3 제품에서 업계 최고 성능과 저전력 특성을 구현한 2세대 제품 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

이번 달부터 양산하는 이 제품은 기존 54나노 공정기술을 활용하면서 혁신적인 설계기술을 도입해 전력 소모를 약 30% 줄인 것이 특징이다.

하이닉스 측은 설계시 회로를 최적화하고 단순화시키는 한편 내부 신호처리에 새로운 방법을 도입, 기존 동작전압인 1.5V를 유지하면서 전력소모를 30% 줄일 수 있게 됐다고 밝혔다.

하이닉스는 이 제품을 기반으로 저전력 제품을 원하는 고객 수요에 적극 대응해 시장을 주도한다는 전략이다.

하이닉스 관계자는 “최근 IT산업 전반에 걸쳐 에너지 소모를 줄이려는 ‘그린 IT’ 제품이 주목 받고 있고, 이미 노트북을 포함한 모바일 제품이나 대형 서버를 사용하는 데이터센터 등에서는 에너지 절약이 필수적인 과제가 되고 있다”며 “하이닉스는 이 제품으로 클라우드 컴퓨팅 등 향후 제품환경이 요구하는 성능과 효율성을 모두 만족시킬 것으로 기대한다”고 밝혔다.

시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 현재 DDR3 D램 중 1Gb 비중은 약 87%로 주력 제품이다.

한편, 하이닉스는 4분기 양산 예정인 44나노 2Gb DDR3 제품에도 동일한 설계기술을 적용한다는 방침이다. 또 연말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3 비중을 50% 이상으로 확대할 예정이다.

양종석기자 jsyang@etnews.co.kr