삼성전자, 세계 첫 40나노 DDR3 D램 양산

삼성전자가 사상 처음으로 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산에 들어갔다고 21일 밝혔다.

지난 1월 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발한 이후 이달 말부터 본격 양산에 들어간 것이다.

이번에 양산한 40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다.

삼성전자는 또 생산 공정을 단순화하고, 생산기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다고 설명했다.

삼성전자는 40나노급 2Gb DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현했다.

삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 △서버용 16기가바이트(GB) 및 8GB 모듈(RDIMM), △워크스테이션, 데스크 톱 PC용 4GB 모듈(UDIMM) △노트북 PC용 4GB 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.

서동규기자 dkseo@etnews.co.kr