차세대 메모리개발 국책 프로젝트 , 하이닉스 삼성전자와 공동 참여

　삼성전자 주도로 진행돼 온 차세대 메모리 미래기술분야의 국책 프로젝트에 하이닉스반도체도 참여를 결정했다.

　D램·플래시메모리를 이을 차세대 메모리 개발 국책과제는 지난 2000년대 초반부터 일찌감치 시작됐으나, 하이닉스가 경영에 어려움을 겪으면서 삼성전자만이 참여하는 ‘절름발이’로 운영돼 왔다.

　이번 하이닉스의 참여로 차세대메모리와 관련한 국가프로젝트도 90년대 후반 D램 개발 프로젝트(G7)처럼 관련업계 공통 과제로 승화되면서, D램을 잇는 차세대 메모리 기술 확보의 중추적 역할을 담당하게 될 것으로 기대된다.

　15일 정부와 관련업계에 따르면 오는 9월 시작되는 ‘차세대 비휘발성 메모리 소자 개발 국책프로젝트 2단계 사업’에 국내 메모리 양대업체인 삼성전자·하이닉스반도체가 모두 참여한다.

　2000년부터 진행된 차세대 메모리 개발과 관련된 프로젝트는 당시 기업으로서는 삼성전자만이 참여하는 산관학연 국책 과제로 운영되다가, 최근 가장 상용화 가능성이 높은 P램(상변화메모리)분야만 별도로 분리돼 삼성전자 주도로 개발이 진행되고 있다. 오는 9월 시작되는 ‘차세대 비휘발성 메모리소자 개발 2단계 사업’은 2005년부터 3년간 진행된 1단계 사업의 후속 사업으로, 1단계 사업은 P램을 제외한 차세대메모리인 나노플로팅게이트메모리(NFGM)·폴리머메모리(PoRAM)·저항변화메모리(Re램) 등에 대해 연구가 진행됐다.

　차세대 비휘발성 메모리 사업단 심태헌 교수는 “2단계 사업부터는 삼성전자와 하이닉스가 본격 참여할 예정이어서 보다 효과적인 사업 추진이 가능할 전망”이라며 “필요한 분야의 원천기술 확보를 통해 세계 최강 메모리 강국을 유지하는데 기여할 것”이라고 말했다.

　한편 차세대 비휘발성 메모리 개발 프로젝트는 2005년부터 3년간 진행된 1단계 사업을 통해 NFGM·PoRAM·Re램 등 차세대메모리분야에서 세계 최초 기술 3건을 비롯해 특허 110건·국제논문 223편을 작성하는 성과를 거두는 등 차세대메모리분야의 국내 최대 종합 국가연구 개발 프로그램으로 자리매김하고 있다.

　 심규호기자@전자신문, khsim@