관련 통계자료 다운로드 VIP50 공정과 기존 공정 비교 세계적인 종합반도체업체(IDM)들이 나노 공정을 활용한 반도체에서도 전력 효율을 높일 수 있는 첨단 공정 기술을 잇달아 발표하고 있다.
반도체 회로 선폭이 65㎚ 등 초미세화되면서 같은 크기의 반도체에 과거에 비해서 더 많은 기능이 탑재돼 전력 사용량이 늘어나는 것을 방지하기 위해서다. 또 휴면시 사용되는 불필요한 전력을 감소시킴으로써 시스템 전체의 전력 효율을 높여 모바일 시대에 경쟁사 대비 우위를 확보한다는 전략이다.
25일 관련업계에 따르면 내셔널세미컨덕터는 ‘VIP50 공정’을, TI는 ‘스마트리플렉스’(SmartReflex) 공정을, 인텔은 65㎚ 초절전 공정 기술을 3분기 말에 일제히 공개했다.
내셔널세미컨덕터코리아(대표 김용춘)는 본사에서 정밀, 저전원, 저전압 Op 앰프의 성능을 개선해주는 이중상보성금속산화막반도체(BiCMOS) 아날로그 공정 기술인 ‘VIP50’을 개발했다고 밝혔다. VIP 공정은 그동안 사용된 SOI(Silicon on Insulator) 공정에 비해 낮은 전류 수준에서 적은 전력을 소모하면서도 정밀도가 높은 앰프 반도체를 설계할 수 있다. 회사 관계자는 “기존 제품에 비해 같은 속도 기준으로 전력효율이 10배 높은 제품을 이달 출시할 예정”이라고 말했다.
TI코리아(대표 손영석)는 TI가 65㎚ 공정에서 불필요한 전류 누설을 방지해 주는 ‘스마트리플렉스’ 기술을 개발했다고 전했다. TI는 오맵2 애플리케이션 프로세서의 제품군에서 이 기술을 이미 통합했으며 향후 무선 제품군에도 적용할 계획이다. TI코리아 관계자는 “미세공정과 고성능 프로세싱 기능으로 인해 누설 전력이 많아 전력관리의 어려움이 있었다”며 “스마트리플렉스 기술을 통해 전력 소비를 대폭 줄일 수 있어 무선 엔터테인먼트, 게임, 음악 애플리케이션 기능을 확장할 수 있다”고 말했다.
인텔코리아(대표 이희성)는 자사 연구진이 모바일 기기의 배터리 수명 연장을 위한 초저전력 65㎚ 로직 제조 공정을 개발했다고 공개했다. 인텔의 초절전 65㎚ 공정 기술은 핵심 트랜지스터의 변경을 통해 저 전력을 제공하는 기술로 전류 누출량을 현저히 감소시켜 배터리 수명을 연장할 수 있다. 인텔은 이 기술을 차세대 중앙처리장치(CPU)인 ‘메롬’(암호명) 등에 적용할 것으로 전해졌다.
김규태기자@전자신문, star@
