NTSI, 인도 최초 200㎜ 파운드리 팹 기공식

한국인이 건설하는 인도 최초의 200㎜ 팹이 26일(현지시간) 기공식을 갖고, 본격 건설에 착수한다.

반도체 팹 구축업체인 NTSI(나노 테크 실리콘 인디아·대표 민병준)는 26일(현지시간) 인도 앤드라 프라데쉬주 하이데라바드에서 인도 최초의 200㎜ 파운드리 팹 건설 기공식을 갖고, 다음달 1일부터 공사를 시작한다고 27일 밝혔다.

인도에는 델리와 뱅갈로에 소규모 반도체 팹 3개가 있으나 200㎜ 팹의 건설은 이번이 처음이다.

민병준 사장은 본지와의 전화통화에서 “이번 팹은 0.13㎛ 미세공정까지 대응이 가능한 시스템반도체(비메모리) 전용 파운드리 팹이며, 다양한 ASSP(Application Specific Standard Product; 표준반도체) 생산에 초점을 맞출 것”이라고 말했다. NTSI는 신규 팹을 통해 PC·휴대폰·디지털가전·자동차용 MPU·MCU·DSP 등과 일부 임베디드용 메모리도 생산할 계획이다.

민사장은 또 “이번 신규 팹 건설에는 최고 수준의 리퍼비시(중고)장비가 대거 활용된다”며 “비교적 적은 투자로 효과를 극대화하는 성공 사례를 실현할 수 있을 것”이라고 덧붙였다.

NTSI 반도체 팹은 약 50에이커 규모로 1차와 2차로 나눠 25에이커씩 구축되며, 이번 기공식을 가진 반도체 팹은 1차에 해당된다. 1차 팹 건설에 총 6억 달러가 투자될 예정이며 세계 유수의 반도체 업체로부터 1억6000만달러, 인도 타타로부터 1억5000만 달러·인도 국가은행으로부터 2억 9000만달러를 지원받는다.

민병준 NTSI 사장은 “NTSI는 반도체 설계부터 팩키지 및 보드조립까지 반도체 관련 많은 제조회사의 인프라를 구축하여 앤드라 프라데시주의 GDP성장에 크게 기여할 것”이며 “향후 인도의 소프트웨어에 치중된 산업을 하드웨어 쪽으로 중심을 옮기는데 NTSI가 중추적 역할을 할” 것이라고 설명했다.

NTSI는 올해 4월 25일 이번 인도 200㎜ 팹 건설을 위해 설립된 반도체 제조설비 및 팹구축 전문회사로, 초기자본금은 민병준 사장 60%·인도 주정부 20%·개인투자자 20%로 구성돼 있다.

민병준 NTSI사장은 금성사·아남반도체를 거쳐 대우그룹 부회장을 역임한 바 있으며, 국내에서는 반도체 팹건설 컨설팀업체인 인트렉트를 설립해 중국 수강하이테크 프로젝트·UAE 두바이프로젝트 등을 추진했다.

심규호기자@전자신문, khsim@

사진: 26일(현지시간) 앤드라 프라데쉬주의 스리나갈(srinagar) 빌리지에 있는 라지브간디 나노테크노파크에서 (사진 앉아 있는 왼쪽부터) 주총리 Dr.Y.S.라자세크하라 레디와 NTSI 민병준 사장이 참석한 가운데 앤드라 프라데쉬주 하이데라바드 지역에 착공할 대형 반도체 팹 기공식이 열렸다.