한국오키, 반도체 전계효과 트랜지스터 개발

　한국오키디바이스(지사장 마쓰시타 코오키)는 무선 통신기지국 구축에 사용하는 파워 앰프용 금속·반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET) ‘KGF 1934<사진>’를 개발, 오는 6월부터 출시한다고 19일 밝혔다.

갈륨비소화합물반도체(GaAs)를 활용해 개발된 이 제품은 드레인 효율(증폭기에 공급된 전력이 고주파 출력 전력으로 변환될 때의 효율)을 극대화한 것이 특징으로, 2W 출력 시 25%·10W의 고출력에서 55% 이상의 높은 드레인 효율을 얻을 수 있다.

이러한 특징 때문에 이 제품은 기존 대비 40%의 소비전력을 줄일 수 있으며 송신 앰프의 드라이버단(최종단에 있는 큰 출력 증폭기를 구동하기 위한 중간 정도의 출력 증폭기)에서도 높은 성능을 발휘한다고 오키측은 밝혔다.

오키전기는 6월부터 월 1만개 규모로 양산을 시작, 3세대 휴대폰 및 무선통신기지국의 파워 앰프용으로 시장에 출시할 계획이다. 샘플가격은 개당 1000엔이다.

심규호기자@전자신문, khsim@