플래시메모리 경쟁 2라운드

올해 세계 주요 반도체업체들간 신기술이 적용된 플래시메모리를 잇따라 출시하고 제2라운드 경쟁을 펼칠 전망이다.

　6일 관련업계에 따르면 세계 플래시메모리 1위인 삼성전자는 최근 세계 최초로 기존 낸드형을 변형한 1기가(Gb)급 퓨전 메모리 ‘1기가 원낸드(OneNAND)’를 연내에 양산한다는 방침이다. 대용량 원낸드·8층 MCP 등으로 휴대폰에 최적화된 메모리군을 갖추고 있는 삼성전자는 현재 수위를 달리는 낸드플래시는 물론, 당분간 노어플래시 생산에도 박차를 가해 플래시메모리시장 진정한 강자로 군림한다는 계획이다.

　노어플래시부문 세계 1위업체인 스팬션은 올해 상반기 노어플래시 기반의 고집적 퓨전메모리인 오어낸드(ORNAND)를 본격 출시하면서 휴대폰용 메모리시장 공략을 강화한다. 우선 90㎚ 공정의 1Gb 노어형 플래시를 내놓고, 오는 2007년에는 8Gb 용량 노어 플래시도 출시할 계획이다. 최근 한국을 방문한 이 회사 톰 에비 CMO는 “지금까지 단순히 휴대폰 등 단말기에 사용되는 플래시메모리 단품을 판매했으나 올해부터는 휴대폰 제조업체가 원하는 방향으로 칩셋과 소프트웨어를 메모리와 결합할 수 있도록 지원할 방침”이라고 밝혔다.　이회사의 오어낸드는 노어플래시를 기반으로 빠른 읽기와 함께 빠른 쓰기 기능을 갖춘 고집적 퓨전메모리로, 낸드플래시를 기반으로 하는 삼성전자의 원낸드와 대립각을 세우는 제품이다.

　미국 인텔도 코드명 ‘시블리(Sibley)’로 불리는 90나노 기반의 노어형 멀티 레벨 셀(MLC) 플래시메모리 제품군을 출시한다. 인텔의 다린 빌러벡 플래시 제품 그룹 부사장 겸 이사는 최근 폐막한 IDF에서 “올해 본격 양산하는 제품군은 인텔의 노어형 제품 포트폴리오의 역량을 키우는 계기를 마련했으며, 높은 신뢰도와 고성능 제품 및 코드 실행력을 요구하는 휴대폰 임베디드 제품 소비자들의 요구를 충족시킬 것”이라고 강조했다. 시블리는 노어플래시의 단점인 집적도를 512Mb까지 끌어올렸으며, 다양한 램 인터페이스를 지원해 휴대폰 설계에 최적화된 제품이다.

　 심규호기자@전자신문, khsim@