후지쯔, 절연막기술 개발

　일본 후지쯔가 배선폭 65나노미터(㎚)의 차세대 반도체소자를 구현하는 데 중요한 절연막 기술을 개발했다고 니혼게이자이신문이 17일 보도했다.

　이 기술은 현재 실리콘 반도체 기술을 그대로 활용하기 때문에 대규모 설비 투자가 불필요하고,디지털가전용 시스템 LSI를 현재와 같은 수준의 비용으로 고성능화할 수 있는 이점이 있다고 이 신문은 전했다.

　후지쯔는 이번 연구 성과를 일반 시스템 LSI용 트랜지스터(NMOSFET)에 적용한 결과 65㎚와 같은 세대의 게이트 길이 45㎚ 트랜지스터에서 전압 1V의 전류 흐름은 1마이크로미터(㎛) 당 1mA로 지금까지의 최고 성능에 비해 15% 향상됐음을 확인했다. 트랜지스터의 높이나 측면의 산화막 두께를 개선할 경우 25%까지 성능을 높일 수 있을 것이라고 회사측은 밝혔다.

　후지쯔가 이번에 개발한 신기술을 채택하면 전용 설비 없이 오는 2007년 실용화될 것으로 전망되는 65㎚ 세대의 시스템 LSI 양산이 가능하게 된다.

　<명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>