모토로라, 2중 게이트 트랜지스터 기술개발

　모토로라 반도체연구소가 두개의 게이트를 독립적으로 제어하는 한단계 진보된 이중 게이트 트랜지스터 기술을 개발했다고 C넷이 10일 보도했다.

　그동안 반도체업계에서 꾸준히 개발해 온 이중 게이트 트랜지스터는 두 개의 게이트가 연동해서 함께 움직이는 방식인데, 모토로라는 전기적으로 독립된 구조의 이중 게이트를 따로 제어하는 기술을 최초로 개발했다고 C넷은 전했다.

　모토로라 연구소의 한 관계자는 “새로 개발한 다중 독립게이트 전계효과트랜지스터(MIGFET:Multiple Independent Gate Field Effect Transistor)기술은 차세대 반도체의 성능 향상과 전력소비 절감에 효과적이며 현존하는 반도체 생산라인에 쉽게 적용할 수 있다”며 이중 게이트기술을 응용한 새로운 반도체 칩의 상용화를 서두를 계획이라고 밝혔다. 전문가들은 모토로라가 45나노급 웨이퍼공정이 실용화되는 2007년경 이중 게이트기반의 반도체칩을 선보일 것으로 예상하고 있다.

　하나의 트랜지스터 안에 여러 개의 게이트를 집적하는 멀티 게이트 트랜지스터 기술은 정전용량과 반도체의 집적도를 획기적으로 높일 수 있어 IBM과 인텔, AMD 등 세계적인 반도체업체들이 기술개발에 박차를 가하고 있다.

　<배일한기자 bailh@etnews.co.kr>