모토로라 새 플래시기술 개발

　미국 모토로라가 현재의 플래시메모리 용량을 크게 늘릴 수 있는 차세대 기술을 개발했다.

　C넷에 따르면 모토로라는 ‘소노스(SONOS:Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)’와 ‘실리콘 나노크리스털’이라고 불리는 새 플래시메모리 기술 두개를 개발, 오는 16일(현지시각)부터 닷새간 캘리포니아주 몬터레이에서 열리는 기술콘퍼런스(http://www.ewh.ieee.org/soc/eds/nvsmw)에서 공식 발표할 예정이다.

　소비자용 가전제품에서부터 이동전화·자동차·통신제품 등에 이르기까지 광범위하게 사용하고 있는 플래시메모리는 비휘발성 메모리로 전원이 꺼져도 데이터를 저장할 수 있는 장점이 있다. 이때문에 이동전화 등 이동통신단말기와 디지털카메라·휴대형 음악플레이어·셋톱박스 등 디지털가전으로 수요가 크게 늘면서 시장규모도 함께 급팽창하고 있다.

　모토로라가 이번에 개발한 두 신기술은 현재 가장 광범위하게 사용하고 있는 실리콘기반 플래시메모리 제조기술 ‘플로팅 게이트(floating gate)’의 디자인 한계를 극복한 것이다. 이를 위해 회사는 새로운 물질을 사용, 전압을 낮추었는데 ‘소노스’ 기술은 실리콘 대신 실리콘 니트리트(nitrite)라는 물질을 사용하고 있다.

　‘소노스’ 플래시메모리에 대해 모토로라의 한 관계자는 “기존 플래시 셀 크기를 반으로 줄인 것”이라며 “현 플래시메모리 생산장비를 그대로 사용할 수 있는 것도 장점”이라고 밝혔다. 그는 “소노스와 실리콘 나노크리스털 칩은 내년이나 돼야 상용화가 가능할 것”이라고 덧붙이며 “이들 칩 이외에도 모토로라는 차세대 칩 중 하나인 M램(Magnetic RAM)을 올 연말께 내놓을 예정”이라고 언급했다.

　한편 모토로라 이외에도 세계 2위 CPU 업체인 AMD가 ‘퀀텀 웰(Quantum Well)’이라고 불리는 새 반도체 기술에서 이번 모토로라가 개발한 것과 비슷한 방법으로 차세대 플래시메모리 개발에 나서고 있는 것으로 알려졌다.

　<방은주기자 ejbang@etnews.co.kr>