대만 TSMC, "0.065미크론 공정 기술 2004년 이후 도입"

　대만 TSMC가 0.065미크론 이하 회로선폭 초미세 공정기술을 오는 2004년이나 2005년께 도입할 것이라고 자사가 개최한 ‘테크놀로지심포지엄’에서 밝혔다.

　실리콘스트래티지스에 따르면 TSMC는 ‘넥시스’로 명명된 0.09미크론 기술을 공식으로 공개, 이 기술의 프로토타이핑 서비스를 이번 분기부터, 그리고 CMOS 기술을 이용한 초기 생산은 3분기부터 시작할 것이라고 밝혔다.

　또 TSMC는 오는 2004∼2005년에 0.65㎚ 기술을 구현하기 위해 각종 새로운 브랜드와 미검증 장비를 자사 팹에 적용할 계획이라고 덧붙였다. 이같은 장비에는 원자층증착(ALD), 차세대리소그래피(NGL) 장비 등이 포함되며 특히 157㎚ 스캐너와 전자빔 주사리소그래피(EPL) 기술 등도 적용된다.

　TSMC는 이날 행사에서 자사가 그동안 신속하게 기술을 따라잡는데 주력했지만 이제는 앞서나가는 기업이 됐다고 강조했다. 실제 이 회사는 다층주사 웨이퍼를 사용한 90㎚ 설계 포로토타이핑을 개발, 이를 2분기부터 서비스한다는 목표를 세워두고 있다.

　TSMC는 이에 따라 기업문화도 이에 걸맞게 혁신할 계획이다. 이 회사 CTO인 첸밍후는 “우리는 5년 앞, 어쩌면 10년 앞을 내다봐야만 한다”며 “회사가 직면한 도전은 앞을 내다보는 사고방식”이라고 지적했다.

　　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>