대만 파워칩, 0.1미크론 D램 공정기술 라이선스 미쯔비시와 양해각서 체결

　대만의 파워칩이 일본의 미쓰비시전기로부터 최신 0.10미크론 D램 공정기술을 라이선스하기로 양해각서를 체결했다고 실리콘스트래티지스가 보도했다.

　이에 따르면 파워칩은 현재 신추에 건설중인 300㎜ 웨이퍼 팹에 미쓰비시로부터 이전받은 0.1미크론 공정기술을 적용할 계획이다.

　이와 관련, 파워칩의 사장인 마이클 차이는 “이번 양해각서 체결은 미쓰비시가 지속적으로 D램 제조기술을 개발한다는 점과 파워칩이 미래 기술 원천을 스스로 통제할 수 있는 능력을 갖췄다는 점을 재확인해준다”고 말했다. 그는 또 “새 팹이 세계 톱5 규모며 6월에 파일럿 생산에 들어가 4분기부터는 대량 생산이 가능할 것”이라고 덧붙였다.

　512MB와 1Gb D램 시장을 겨냥해 건설되고 있는 파워칩의 300㎜ 팹의 월 웨이퍼 최대 생산량은 3만5000장이다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>