고주파전력증폭기(PAM:Power Amolifier Module)는 믹스, 드라이브 앰프 등 휴대전화 단말기 출력부위에서 변조된 신호를 증폭시켜 기지국까지 송출이 가능하게 하는 부품이다.
PAM은 통화시간을 좌우하는 핵심부품으로 저전력화, 고효율화, 고출력, 우수한 선형 특성 등이 요구되고 있다.
커넥선트, RFMD 등 대부분의 PAM 제품은 갈륨아세나이드(GaAs)계 화합물반도체로 제작되고 있으나 최근 생산량확대와 가격경쟁력에서 유리하며 웨이퍼 평판도가 우수한 실리콘게르마늄(SiGe)계 화합물반도체 제품의 개발이 진행되고 있다.
제작 방식으로는 MESFET, HBT, HEMT 방식 등이 채용되고 있는데 이 중 HBT방식이 선형성과 저전압동작이 가능하고 저가격, 저실장면적으로 유리하다는 평가를 받고 있어 국내 업체들도 이 방식을 따르고 있다.
◇시장규모=PAM의 세계 시장규모는 휴대전화 시장규모와 같은 비율로 증가, 2000년 4억5000만개에서 2003년 8억9000만개로 연평균 34%의 고성장이 예상되고 있다.표참조
PAM은 CDMA 단말기의 대부분과 GSM 단말기의 60∼70%에 적용되고 있으며 GSM 단말기도 PAM의 소형화에 따라 적용이 증가하는 추세다. 국내의 경우 삼성전자는 모든 단말기에 PAM을 적용하는 등 CDMA, GSM 단말기 모두 PAM을 대부분 채용하고 있다.
국내 CDMA방식에는 대부분 커넥선트사의 제품을 채용하고 있으며 GSM방식에는 히타치사 제품을 주로 채용하고 있는 등 국산화율이 5%(2000년 8월 현재)에 그치고 있으나 최근 삼성전기가 PAM 생산에 돌입하고 젠스텍도 개발을 앞둬 국산화율이 증가할 것으로 예상된다.
◇국내 업체동향=LG이노텍(대표 김종수)은 97년 CDMA용 PAM을 개발해 국산화에 앞장선 데 이어 지난해 450억원을 투자하고 올해 630억원 투자계획을 가지고 있어 생산능력을 2000년 월 150만개에서 두 배 이상으로 확대할 계획이다.
LG이노텍은 최근 6×6㎜ PAM과 6×6㎜ 스마트 PAM 개발에 성공해 PAM 부문의 매출규모가 2002년까지 800억원에 이를 것으로 기대하고 있다.
삼성전기(대표 이형도)도 최근 CDMA와 아날로그 방식을 만족시키는 듀얼모드 6×6㎜ PAM을 개발해 양산에 들어가는 한편 올 상반기중으로 PCS용과 GSM용 PAM 개발을 마치고 효율도 38%로 끌어올린다는 계획이다.
젠스텍(대표 이태우)은 CDMA 및 셀룰러폰용 초소형(5×5㎜) PAM 개발에 성공했으며 이와 함께 KPCS용과 IMT2000용 PAM 개발에도 성공해 올해안으로 이들 제품을 연 250만∼300만개 양산할 계획이다.
젠스텍은 인듐갈륨포스프라이드를 이용한 화합물반도체를 이용해 MMIC칩을 직접 내장하는 한편 동작전원을 3V로 떨어뜨리는 데 성공해 휴대전화 대기시간을 늘릴 수 있다.
<김용석기자 yskim@etnews.co.kr>
표1. 휴대전화 단말기 및 PAM 시장규모(단위:억원)
98년 99년 2000년 2003년 평균성장률
휴대전화 1.7 2.7 4.3 8.6 26%
PAM 1.7 2.8 4.5 8.9 34%
자료 삼성전기
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