반도체 전공정장비 제조기업인 지니텍(대표 이경수 http://www.genitech.co.kr)은 이번 전시회에 기가급 D램 생산에 적용이 가능하면서도 박막의 질이 화학증착(CVD)기술에 버금가는 플라즈마 원자층 증착기술(PEALD : Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)을 선보인다.
이 기술은 기존 원자층 증착기술(ALD)과 달리 고온의 플라즈마 성질을 이용해 반도체 웨이퍼 표면에 박막을 원자층으로 증착시키는 신기술로 기존 화학증착기술의 경우 기가급 D램 생산에 적용이 어려우며 ALD의 경우 저온증착으로 박막의 막질이 좋지 않고 막의 생성이 느리다는 단점을 해결했다.
지니텍은 『1기가·4기가 D램 등의 차세대 반도체 소자 제조에 필수적인 이 기술은 기존 ALD보다 증착속도가 1.5∼2배 정도 빠르고 저온에서 박막증착을 해도 고품질의 막질을 얻을 수 있어 10㎚의 극초박막, D램 반도체의 산화탄탈룸막과 F램의 강유전막 형성에 적용이 가능하다』고 설명했다.
지니텍은 이번에 개발한 기술을 적용한 양산용 플라즈마 원자층 증착장비와 반도체 웨이퍼 이송장치를 제어소프트웨어 전문업체인 코닉시스템(대표 정기로)과 함께 공동제작, 판매에 나설 계획이다.
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