RF반도체 국산화 활기

　전량 수입에 의존해온 고주파(RF) 처리용 반도체 개발이 줄을 잇고 있다.

　24일 관련업계에 따르면 삼성전자·한마이크로텍·대우전자·LG정밀 등은 이중상보성금속산화막반도체 (BiCMOS) 실리콘웨이퍼, 갈륨비소(GaAs), 실리콘게르마늄(SiGe), 인듐갈륨포스파이드(InGaP) 등 다양한 반도체 재료를 이용한 RF 반도체 모듈개발과 상용화를 추진하고 있다.

　이들 제품은 휴대폰무선가입자망(WLL)·IMT2000 등 이동통신 단말기에 필수적으로 채택되는 통신용 핵심 반도체로 그동안 전량 수입했다.

　삼성전자는 저잡음증폭기(LNA)와 믹서 등을 하나의 칩에 구현한 BiCMOS 실리콘웨이퍼 소자의 CDMA용 RF IC 「KB867x」 시리즈 제품을 개발, 내년 3월부터 양산체제에 돌입할 예정이다.

　이 회사의 RF IC 태스크포스팀은 지난해 4월부터 제품개발에 착수, 올 2월에 패키징·성능테스트를 완료했으며 우선 자사의 이동전화기에 이들 제품을 채택할 계획이다.

　한마이크로텍(대표 윤태호)은 차세대 RF 반도체 소자로 평가받는 인듐갈륨포스파이드(InGaP)를 소재로 한 전력증폭기를 한국과학기술원(KAIST) 홍성철 교수 연구팀과 공동으로 최근 개발, 국내외 업체에 샘플제품을 공급하고 있다.

　이 회사가 개발한 InGaP 반도체 전력증폭기는 현재 RF IC시장에서 주류를 이루는 갈륨비소(GaAs) HBT를 능가하는 제품으로 평가되고 있고 아직까지 상용화 제품이 없다.

　이 회사는 조만간 일관공정(FAB) 라인을 구축해 1와트 이상의 단일칩고주파집적회로(MMIC)를 개발할 예정이다.

　대우전자는 에이에스비와 공동으로 실리콘게르마늄(SiGe) HBT를 개발, 내년 6월부터 양산한다.

　이와 함께 LG정밀은 갈륨비소(GaAs) MESFET소자의 CDMA용 전력증폭기를 내년 1월부터 양산할 예정이다.

김홍식기자 hskim @etnews.co.kr