일본진공기술, 차세대 반도체 지원 성막장치 개발

　일본진공기술은 회로선폭 0.1㎛ 이하의 차세대 반도체를 지원할 수 있는 성막장치를 개발하고 올해 말부터 출하할 계획이다.

　「일본경제신문」에 따르면 일본진공기술이 개발한 장치는 반도체 웨이퍼 위에 회로의 기초가 되는 막을 만드는 스퍼터로 알루미늄 등의 배선재료를 방전시킴으로써 반도체 웨이퍼 상에 성막하는 물리적 기상성장법(PVD)을 채택했다.

　회로의 기초가 되는 미세한 구멍이나 홈에 효율적으로 배선 재료를 채워 넣을 수 있도록 직경 약 60㎜인 원반형 타깃을 회전시키면서 배선재료의 원자가 효율적으로 반도체 웨이퍼에 붙어 성막할 수 있도록 했다.

　이 장치는 폭 0.1㎛, 깊이 1㎛의 미세구멍에 재료를 채워 넣어 미세한 회로를 만들 수 있다. 종전의 장치는 폭 0.15㎛가 한계였다.

　일본진공기술은 이 장치를 반도체업계가 차세대 생산라인에 대한 설비투자를 본격화할 것으로 예상되는 올해 말부터 시판해 내년 6월까지 20대, 2001년 6월까지 80대 판매를 목표로 잡고 있다.

<주문정기자 mjjoo@etnews.co.kr>