日반도체업계, 플래시 메모리 증산

　일본 반도체업체들이 휴대기기용 플래시메모리 증산에 박차를 가하고 있다.

　일본 「전파신문」 등에 따르면 최근 미쓰비시전기가 4월부터 플래시메모리 생산을 지난해의 3배 규모로 늘린다고 발표한 데 이어 후지쯔도 6월까지 후지쯔AMD세미컨덕터의 미세가공설비를 0.25㎛급으로 전환해 생산능력을 1.4배 확대한다고 밝혔다.

　일본 주요 플래시메모리생산업체들의 이같은 움직임은 세계반도체시장통계가 플래시메모리 세계시장 규모를 올해 27억4천1백만달러, 2001년에는 37억6천5백만달러로 전망하는 등 지난해 이후 전반적으로 수요가 늘고 있는 데 따른 것으로 제품의 대용량화도 시장규모 확대에 기여하고 있다.

　후지쯔는 지난해말 8M 환산 월 9백만개였던 플래시메모리 생산능력을 3월말까지 1천만개로 늘릴 계획이다. 또 6월까지는 미국 AMD와 합작한 후지쯔AMD세미컨덕터 2공장의 미세가공설비를 전면 0.25㎛ 라인으로 전환해 생산능력을 전년보다 1.4배 많은 월 1천4백만개로 확대한다.

　후지쯔는 2000년부터 2관에 새 생산라인을 건설하는 방안도 검토중이다.

　독자규격인 DINOR형 16M 제품과 저전력 S램을 조합해 PDC 및 CDMA방식 휴대전화용으로 수주를 늘리고 있는 미쓰비시전기는 생산능력을 지난해말 월 1백만개에서 2월 현재 2.5배 높은 월 2백50만개로 확대했으며 4월까지 3배 규모인 월 3백만개 생산체제를 갖출 계획이다.

　지난해 4월부터 조업을 미뤄왔던 후쿠야마 제4공장을 올 1월 가동한 샤프는 3월부터 이 공장을 풀가동해 8M, 16M급은 물론 32M급 플래시메모리도 양산할 계획이다. 새 공장은 0.25㎛ 라인으로 풀가동시 생산능력은 월 1만장 규모다.

　산요전기는 휴대전화용을 중심으로 16M급 제품까지 생산하고 있는데 최근에는 플래시메모리와 S램을 한 개 칩에 집적한 멀티칩 패키지(MCP)를 개발, 공급에 들어갔다. 현재는 플래시메모리와 EEP롬을 원칩화한 플래시뱅크를 개발중인데 올 중반에는 상품화할 것으로 보인다.

　롬은 플래시메모리 내장 시스템 온 칩의 수요에 대응하기 위해 플래시메모리 단품의 생산을 크게 늘릴 방침이다.

　NOR형 2M, 4M를 주로 출하하고 있는 이 회사는 5V전원을 사용하는 4M와 8M 제품도 개발하고 있는데 앞으로 휴대전화·PDA 등 배터리 구동 휴대기기용 저전압 고밀도 8M, 16M 제품과 멀티레벨저장방식을 응용한 신제품도 개발하기로 했다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>