삼성전자, 미국내 전력용 반도체 특허 분쟁 해소

　삼성전자와 미국 인터내셔널 렉티파이어(IR)사의 전력용 반도체 특허분쟁이 부분적으로 해결됐다.

　삼성전자는 IR사와 일정기간 MOSFET소자에 대해 라이선스 계약을 맺는 조건으로 미국내에 MOSFET 판매를 재개하는 특허분쟁 중재안에 서명했다고 밝혔다.

　IR사는 지난해 4월 삼성전자의 대전력 반도체인 IGBT에 대해 미국법원에 특허침해 소송을 제기, 미국내 판매금지 조치를 취한 데 이어 12월에는 MOSFET소자에 대해서도 같은 조치를 얻어낸 바 있다.

<유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr>