삼성 무결정결함 웨이퍼개발 의미

　삼성전자가 기존 폴리시드 웨이퍼의 표면결함(COP)을 획기적으로 없앨 수 있는 새로운 웨이퍼 제조기술을 개발하고 이의 본격적인 양산에 성공한 것은 차세대 웨이퍼 제조의 전체적인 기술 흐름을 한순간에 바꿔놓은 획기적인 사건으로 평가된다. 메모리 반도체가 16M에서 64MD램 이상으로 고집적화하면서 기존 실리콘 웨이퍼에 존재하는 표면결함 문제는 반도체 수율 향상의 가장 큰 걸림돌로 지적돼 왔다.

　따라서 그동안 반도체 웨이퍼시장을 주도해온 폴리시드 제품은 이러한 미세결함 문제로 인해 64MD램 3세대 제품 이상부터 사용하기 힘들며 결국 차세대 웨이퍼시장의 주도권은 표면 무결함의 특성을 지닌 에피웨이퍼가 차지할 것이라는 시각이 지배적이었다.

　하지만 삼성이 기존의 폴리시드 제품에 새로운 결정결함 제거기술을 적용, 현재 나와 있는 에피웨이퍼를 사용할 때보다 훨씬 우수한 생산수율과 표면 무결점 효과를 거둠에 따라 차세대 웨이퍼시장을 둘러싼 기술 논의는 다시 원점으로 돌아가게 됐다.

　즉 현재 사용되는 폴리시드 웨이퍼의 제품 수명은 향후 2백56MD램 시대 이상으로까지 연장될 가능성이 높아진 대신 이를 대체할 차세대 제품으로 인식돼온 에피웨이퍼의 보급 확산에는 제동이 걸린 것이다.

　삼성전자가 개발한 무결정결함 웨이퍼의 성능이 실제 양산라인을 통해 입증된 이상 향후 소자업체들이 1.4배 이상의 가격부담을 안고 굳이 에피웨이퍼를 사용할 이유가 없기 때문이다.

　더욱이 삼성측 연구 담당자는 『이번에 개발한 새로운 웨이퍼 가공기술은 현재의 64MD램 제조는 물론 향후 2백56MD램 및 3백㎜ 웨이퍼 제조에까지 확대 적용될 계획이며 따라서 당분간 폴리시드 제품 대신 에피웨이퍼를 사용할 가능성은 매우 희박하다』고 밝혀 에피웨이퍼의 향후 시장전망은 더욱 불투명해진 상황이다.

　또한 세계 최대 웨이퍼 가공업체인 일본의 신에쓰와 미쓰비시가 삼성에 1천만달러 가량의 로열티를 내고 관련기술을 이미 이전받았으며 SE

H·MSIL 등 국내외 다른 웨이퍼 제조업체들도 이 기술의 적극적인 도입을 현재 검토중인 것으로 알려져 이번 웨이퍼 결함 제거기술의 개발은 전세계 웨이퍼시장에도 적잖은 파장을 일으킬 것으로 예상된다.

<주상돈기자 sdjoo@etnews.co.kr>