마쓰시타전자, 반도체공장 2곳 가동 연기

　일본 마쓰시타전자공업이 올 가을과 내년 중순으로 예정했던 반도체 새 공장 가동을 내년 초와 2000년 이후로 각각 연기한다.

　「일경산업신문」에 따르면 마쓰시타전자는 지난해부터 오는 2000년까지 매년 1천억엔씩 책정했던 반도체 설비투자액을 올해부터 40% 줄인 6백억엔으로 축소한다는 방침 아래 올 가을 가동할 예정이던 주력 도나미거점의 새 공장과 아라이 또는 우오즈에 내년 가동을 목표로 신설할 계획이던 최첨단 공장의 건설을 연기한다고 최근 밝혔다.

　마쓰시타전자는 당초 도나미거점 내에 선폭 0.25미크론 미세가공기술 및 8인치 웨이퍼 기준으로 월 3천∼5천장 규모의 생산능력을 보유한 반도체 공장을 설립, 올 가을부터 32비트 마이크로컨트롤러와 64MD램을 양산할 계획이었다.

　이미 건물은 완공됐고 대부분의 생산설비도 도입이 끝난 상태이나 64MD램 가격이 계획 당시 고려했던 수준이상으로 하락하자 이 공장의 가동을 당분간 중단키로 했다.

　마쓰시타전자는 아라이 또는 우오즈 거점 가운데 하나를 선정해 0.18미크론 미세가공기술을 이용, 최첨단 메모리와 마이크로컨트롤러를 양산하는 차세대형 반도체공장을 건설할 계획이었으나 불투명한 시황과 그에 따른 투자위험의 확대로 이 계획을 2000년 이후로 무기한 연기키로 했다.

〈심규호 기자〉