삼성전자 대전력 반도체 소자, 특허침해 피소

삼성전자의 고전력 반도체소자 제품 1개 모델이 특허 침해혐의로 피소돼 미국시장에서 판매금지 조치를 당했다.

삼성전자 및 관련업계에 따르면 미국 로스앤젤레스 연방 지방법원은 미국의 반도체업체인 인터내셔널 렉티파이어(IR)사가 삼성전자를 상대로 제기한 대전력 반도체 소자(IGBT:insulated gate bipolar transistor) 제품에 대한 특허 침해 가처분 소송에서 삼성전자와 미국 현지법인인 삼성반도체(SSI)에 당분간 SGL60N90D의 수입 및 마케팅, 판매를 금지하는 예비 판결을 내렸다.

삼성전자는 이와 관련, 『문제의 제품은 주력 제품이 아니며 미국내 판매 실적이 전무하다』면서 『이번 미국내 수입판매 금지 판결이 미치는 영향은 실질적으로 없을 것』이라고 밝혔다.

이와 함께 SGL60N90D제품이 IR사의 특허와 무관하다는 판단을 내리고 조만간 미국연방항소법원(CAFC)에 항고할 방침이다.

동시에 삼성전자는 이번 특허 침해소송과 무관한 트렌치형 IGBT제품을 개발해 미국내 판매를 추진, 특허 분쟁을 원천적으로 피해갈 계획이다.

대전력을 제어하는 용도로 사용되는 대전력 반도체 소자는 MOSFET와 IGBT 등 2종류가 있고 IGBT는 세부적으로 플래너 타입과 트렌치 타입으로 구분되는 데 이번에 판매금지 판결을 받은 SGL60N90D 제품은 플래너 타입의 제품이다. 한편 이번에 소송을 제기한 IR사는 미 캘리포니아 엘세군도지역에 있는 대전력 반도체 전문업체로 지난 1월 삼성전자의 IGBT제품에 대해 미국 특허 4,959,699와 4,705,759의 침해를 주장하며 삼성전자와 미국 현지법인인 삼성반도체를 상대로 미국연방지방법원에 판매금지 가처분 신청을 제기했었다.

<최승철 기자>