日후지쯔, 64MD램 칩 면적 올 후반 51㎟로

일본 후지쯔가 올 후반부터 칩 면적을 51㎟로 축소한 64MD램을 양산한다.

일본 「日經마이크로디바이스」에 따르면 후지쯔는 64MD램 칩 생산에 사용하는 미세가공기술을 올해 후반까지 현재의 0.32미크론에서 0.22,0.21미크론으로 전환, 칩 면적을 51평방mm로 축소한 1백MHz급 64M 싱크로너스 D램을 양산할 방침이다.

후지쯔는 당초 0.32미크론 다음으로 0.28미크론 기술을 채용할 계획이었으나 경쟁업체들의 미세화가 급진전됨에 따라 0.28미크론을 뛰어 넘어 곧 바로 0.22,0.21미크론 기술을 적용,64MD램 칩을 양산하기로 결정했다.

<심규호 기자>