NEC, ``차세대 D램기술`` 미국서 특허

일본 NEC가 미국에 출원한 차세대 D램 제조 기본기술의 특허를 획득했다.

「일본경제신문」에 따르면 NEC는 D램 내부에 전하 저장장소의 표면적을 넓히는 HSG 기술의 미세가공방법과 구조에 대한 특허를 확보했다고 19일 발표했다.

일본에서도 특허출원 중인 HSG 기술은 NEC가 64MD램부터 실용화를 시작해 256MD램 등 차세대 D램에 적용을 추진하고 있는 기술이다.

NEC는 이번 특허 취득에 따라 도시바를 제외한 대부분의 회사들이 이번 특허에 저촉될 것으로 보고 앞으로 특허성립 통지와 함께 특허료의 지불을 요구해 나갈 계획이다.

NEC는 기술사용 업체들이 특허료를 지불하지 않을 경우 비용이 많이 드는 다른 방법을 이용해 차세대 D램을 제조할 수밖에 없을 것으로 보고 있다.

<박주용 기자>