국제상사(전자부문 사장 마동성)가 지난해 자체 개발한 고주파용 초저잡음 고전자이동트랜지스터(P-HEMT)를 다음달부터 양산한다.
국제상사는 경기도 시흥에 있는 반도체 생산공장에서 초기에 월 10만개를 생산, 이 중 절반은 국내에 공급하고 나머지는 수출할 계획이며 이로써 자사가 기존 전계효과트랜지스터(MESFET), 이형접합트랜지스터(HBT), 고전자이동트랜지스터(HEMT) 등 화합물 트랜지스터 전제품을 생산하게 된다고 15일 밝혔다.
국제상사측은 이 부품이 그동안 일본, 미국 등에서 전량 수입돼왔기 때문에 본격적인 생산이 시작되면 연간 1백만달러 이상의 수입대체효과가 있을 것으로 기대하고 있다. 국제상사가 이번에 양산하는 P-HEMT는 위성통신 수신기용 저잡음 주파수 변환기(LNB)에 사용되는 핵심부품으로 12G의 사용주파수에서 세계적 수준인 잡음지수 0.42, 증폭지수 12.4의 특성을 제공한다고 회사측은 설명했다.
<유형준기자>
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