LG반도체, 4기가 D램 노광기술 세계 최초 개발

LG반도체(대표 문정환)가 세계 처음으로 X선을 이용한 4기가 D램급 0.13미크론 극미세 노광기술을 포항공대 연구팀과 공동개발했다.

올초 포항공대의 방사광 가속기를 이용한 X선 노광기술 개발에 착수했던 LG반도체와 포항공대 연구팀은 최근 4기가 D램의 공정이 가능한 0.13미크론 극미세 패터닝 노광(리소그래피)기술 개발에 성공했다고 21일 밝혔다.

노광기술은 반도체 회로를 웨이퍼 위에 형상화시키는 반도체 공정개발의 핵심기술로 E빔이 아닌 X선을 이용한 극미세 노광기술 개발은 이번이 처음이다.

현재 메가급 반도체의 노광공정에 사용되고 있는 자외선 노광기술은 기가급에 해당하는 0.2미크론 이하의 초미세 회로를 웨이퍼상에 형상화하는데 기술적인 한계를 보여 그동안 세계적으로 IBM, NTT, 미쓰비시 등 미국과 일본의 10여개의 선발업체들은 자외선을 대체할 새로운 광원으로 파장이 짧고 투과도가 높은 방사광 X선 연구를 활발히 진행해 왔는데 LG는 이번 4기가급 X선 노광기술개발로 선진업체들과의 차세대 반도체 선행 개발 경쟁에서 우위를 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

LG반도체 ULSI연구소장인 이희국 상무는 『현재 16MD램과 64MD램의 회로 선폭은 0.5∼0.35미크론 수준으로 통상 한세대 제품이 바뀔 때마다 기억용량은 4배가 확대되고 선폭은 70%가 축소되는 점을 감안할 때 0.13미크론의 4기가 D램 핵심기술 개발은 무려 3개의 세대를 뛰어넘는 연구개발 성과』라며 이를 바탕으로 앞으로 4기가 D램의 개발을 앞당겨 나갈 수 있을 것으로 전망했다.

X선 노광기술은 천문학적인 투자비가 소요되는 관련 장비와 기초 기술의 부족으로 국내에서는 개발이 전무한 상태였으나 포항공대의 방사광 가속기 설치를 계기로 지난 5월 LG반도체가 5백억원을 출연, 「X선 노광기술 연구센터」를 설립하고 박사급 10명을 포함 총 30명의 전담 연구인력을 투입한 「기가프로젝트팀」이 가동되면서 본격화했다.

이와 함께 LG반도체는 포항공대와의 노강기술 개발과 별도로 최근 서울대와 공동으로 테라급 초미세소자 개발을 위한 연구를 진행중이며 이의 본격 추진을 위해 1백50억을 출연해 연내에 서울대에 「초미세소자 연구소」를 개설, 산학협동을 통한 차세대제품 기술개발에 적극 나설 계획이다.

4기가 D램은 40억비트 용량의 반도체로 알파벳 5억자(신문 약 3만2천 페이지)를 엄지손가락 만한 크기의 칩에 기록 및 저장할 수 있다.

<김경묵 기자>