日 마쓰시타, 새 웨이퍼표면연마 시스템 개발

일본 마쓰시타전기가 반도체웨이퍼 표면의 평편度를 2배로 높이는 새로운표면연마 시스템을 개발했다고 「日經産業新聞」이 최근 보도했다.

마쓰시타의 새 시스템은 화학적기계연마(CMP)라는 방식을 개량한 것으로,일정한 힘으로 웨이퍼를 연마부분에 밀착시키면서 정밀하게 연마한다. 새 시스템은 웨이퍼 표면의 평편도를 기존의 약 2배로 높일 수 있을 뿐 아니라 연마부분의 수명도 길게 해준다.

반도체웨이퍼 표면의 평편도가 향상되면 다층배선이 한층 쉬워지므로 제품화에 드는 비용이 절감된다.

CMP방식은 깔판에 해당하는 연마패드에 연마액을 주입하면서 선반을 회전시켜, 실리콘웨이퍼 표면의 요철을 평평하게 연마가공하는 것이다. 대규모집적회로(LSI)를 다층으로 구성하기 위해서는 한층의 회로를 작성할 때마다 표면을 연마해야 한다. 지금까지는 연마시 패드의 밸런스가 일정치 않아, 표면전체의 균일 가공에 어려움이 있었다.

마쓰시타가 개발한 새 방식은 「패드가압링」이라고 불리는 기기를 채용해회전하는 연마패드의 밸런스를 잡아준다. 이 기기의 채용으로 웨이퍼표면을1미크론으로 연마할 경우 요철을 0.055미크론이내로 줄일 수 있게 됐다.

또 이 시스템을 이용하면 다이아몬드로 패드표면을 연마하여 형상을 제어하는 지금까지의 공정이 불필요하게 되어, 패드의 수명을 기존의 웨이퍼 5백장분에서 2천장분으로 4배이상 높일 수 있다.

마쓰시타는 빠르면 내년부터 이 새 시스템을 생산라인에 도입할 계획이다.

<심규호 기자>