KIST, 고분자 플라스틱 표면개질기술 개발

이온빔을 이용해 모든 고분자 플라스틱 소재위에 표면 손상없이 금속이나세라믹、유기접착제 등을 강력히 접착할 수 있는 표면개질기술이 국내에서개발됐다.

이에 따라 미크론단위 선폭의 전자회로 제작이 가능해졌고 기가급 고주파신호를 다루는 휴대전화나 위성방송수신기 등 이동통신기기의 고성능화등을이룰 수 있게 됐다.

한국과학기술연구원(KIST) 세라믹스연구부의 고석근.정형진박사팀이 개발한이 이온빔을 이용한 표면개질기술은 가스입자의 에너지.조사량.분위기 등을조절해 고분자표면의 성질을 원하는대로 바꾸는 기법을 말하는 것으로 표면에 아무런 손상을 가하지 않고 70~80다인(힘의 단위:dyne/cm)까지 표면에너지를 증가시키며 가장 안정된 소수성(물과의 친화력이 적은 성질) 고분자인 불소수지를 포함한 모든 고분자수지에 금속을 접착시킬 수 있는 것이특징이다.

코로나 방전、 아크방전 등 기존의 표면개질기법은 표면에너지를 최대 40다인까지 변환시키는 데 불과했다.

KIST는 이 기술개발로 미크론단위 선폭의 전자회로 제작 등의 효과뿐 아니라인공심장.인공각막 등 고분자재료를 사용하는 의료용재료 개발을 촉진하고항공기.자동차용 고강도 복합재료、 특수기능성 플라스틱 개발 등에도 크게기여할 것으로 기대하고 있다.

고석근박사는 지난해 11월말 미국 보스턴에서 열린 세계재료학회에서 세계처음으로 이 기술을 발표、 최우수논문으로 각광받았으며 현재 미국.일본 등에 특허출원 중이라고 밝혔다.

한편 KIST는 앞으로 3년간 (주)삼양사와 공동으로 이 기술의 응용연구및상품화개발을 추진할 계획이다.

<이창호기자>