일후지쯔, 64M싱크로너스 D램 개발

일본 후지쯔는 고속메모리의 일종인 64M 싱크로너스 D램을 세계 최초로 개발 했다고 최근 발표했다.

이신제품은 종래의 D램에 비해 데이터전송속도가 2, 3배 향상된 것이 특징 으로 최대 초당 1백MB의 데이터전송이 가능하다.

이제품은 후지쯔의 미에공장에서 선폭 0.35um의 가공기술로 제조되며, 대용 량에서 고속성이 요구되는 대형 컴퓨터나 워크스테이션 등의 주기억 장치로 이용이 기대된다.

후지쯔는8월 이 제품의 샘플을 출하할 계획이다. 샘플가격은 15만~20만엔정 도로 오는 96, 97년부터 양산할 것으로 예상된다.

후지쯔가싱크로너스형 64MD램을 기존형에 앞서 상품화하는 것은 마이크로프로세서 MPU 의 고속화에 대응해 고속메모리에 대한 수요가 늘어나고 있는 데 따른 것으로 풀이된다.

또후지쯔가 기존형 제품의 상품화를 유보하는 움직임을 보이고있어 이번 제품의 개발을 계기로 동사의 차세대 메모리사업은 고속형 중심으로 전환될 것으로 예상된다.

따라서종래형의 64MD램 개발에서 뒤져있는 후지쯔는 고속형 제품을 다른 업체보다 먼저 출시함으로써 차세대 메모리 분야에서의 만회를 꾀할 것으로 보인다. 한편 후지쯔는 64MD램에 앞서 올해 후반기부터 16M싱크로너스 D램의 증산에 착수할 예정이며, 월 10만개규모로 생산해96년까지 16MD램의 약 절반을 싱크로너스D램으로 제조할 방침이다.

현재싱크로너스 D램은 NEC가 16M 제품을 양산하고 있으며, 히타치 제작소도 내년중 16MD램의 제품화를 계획하고 있다.