일미쓰비시, 16M싱크로너스 D램 판매

일본 미쓰비시 전기는 16M비트의 싱크로너스형 D램을 상품화, 2일 샘플을 출하한다. 싱크로너스형 D램은 마이크로 프로세서(MPU)의 대폭적인 고성능화에 대응한 고속의 새로운 D램으로 미쓰비시의 제품은 66M~1백MHz의 고속 작동을 실현했다. 이미 NEC가 16M, 히타치가 4M의 싱크로너스형 D램을 상품화, 이번 미쓰 비시 의 제품발표를 계기로 싱크로너스형 제품도 본격적인 경쟁기를 맞이 하게 됐다. 미쓰비시의 제품은 정보입출력단위로 4비트, 8비트의 2품종. 데이터레지스터출력핀간의 데이터통로를 2단의 파이프라인으로 구성, 9나노초의 액세스시간 을 실현했다. 또 초당 1백MB의 고속데이터전송이 가능하며 데이터레지스터로 부터 1백28비트를 일괄적으로 병렬전송하는 방식을 채택, 높은 구동주파수에 서도 작동이 안정되어 있다.

샘플가격은2만~2만5천엔. 6월부터 월간 3만개, 연말부터는 10만개의 생산을 계획하고 있다.