일히타치, 싱크로너스형 4MD램 상품화

일본 히타치제작소는 신형메모리 싱크로너스형 4MD램을 상품화, 다음달 샘플 을 출하한다.

싱크로너스형D램은 이미 NEC가 고성능 워크스테이션등의 메인 메모리용으로16M제품을 상품화했는데 히타치는 우선 화상처리용의 수요를 겨냥, 4M제품부 터 출하할 계획이다.

히타치의4M 싱크로너스D램은 데이터 전송속도를 초당 1백32MB로 해 범용D램의 5배로 고속화했다. 데이터의 입출력단위는 16비트로 NEC와 같은 2뱅크 메 모리방식을 채용하고 있다. 샘플가격은 6천5백~9천엔.

히타치는 이 제품을 5월부터 월산 3만개규모로 양산, 연말 까지는 생산량을 월 30만개로 늘릴 계획이다.

싱크로너스D램은컴퓨터등의 전자회로를 작동하는 펄스신호에 동기하는 형태 로 데이터의 입출력을 실행하는 고속메모리. RISC(축소명령어컴퓨팅)형 마이 크로프로세서의 고속화가 급진전되고 있는 반면 종전의 범용D램은 속도가 느리기 때문에 시스팀 전체의 고성능화를 위해서는 초고속 메모리의 상품화가 절실히 요구되고 있다.