삼성전자가 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 속도를 더욱 높인 256기가비트(Gb) 5세대 V낸드 메모리 제품을 양산한다. 셀을 90단 이상 쌓는 적층 기술이 적용됐다. 갈수록 경쟁이 치열해지는 메모리 시장에서 초격차 전략을 유지할 수 있을 것으로 기대된다.
삼성전자는 5세대 V낸드에 자체 개발한 3대 혁신 기술을 이용해 '3차원 CTF셀'을 90단 이상 쌓는 세계 최고 적층기술을 상용화했다고 10일 밝혔다.
이번에 양산하는 5세대 V낸드는 차세대 낸드 인터페이스 '토글 DDR 4.0' 규격을 처음 적용한 제품이다. 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드보다 1.4배 빠르다.
이 제품엔 '3차원(원통형) 차지트랩플래시(CTF)셀'을 850억개 이상 형성하는 최고 난도 기술이 적용됐다. 원통형 CTF셀은 단층을 피라미드 모양으로 쌓고 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백나노미터(㎚) 직경 미세 구멍을 뚫어 데이터를 저장하는 구조다. 삼성전자는 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역 높이를 20%나 낮추는 기술을 개발, 4세대 제품대비 생산성을 30% 이상 높였다.
삼성전자는 5세대 V낸드 성능과 생산성을 극대화하기 위해 △초고속·저전압 동작 회로 설계 기술 △고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술 △텅스텐 원자층박막 공정 기술(ALD W) 등 독자 개발한 3대 혁신기술을 적용했다고 설명했다.
삼성전자는 5세대 V낸드 고객 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대할 계획이다. 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 추세를 지속 주도한다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 “5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다”면서 “향후 1테라비트(Tb)와 쿼드레벨셀(QLC) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장 변화를 더욱 가속화할 것”이라고 말했다.
오대석기자 ods@etnews.com
