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日 르네사스, 방사선 내성강화 전원공급솔루션 출시

발행일2018.03.13 13:27
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日 르네사스일렉트로닉스는 방사선 내성을 강화한 질화갈륨 전계효과트랜지스터(GaN FET) 및 로사이드(Low Side) GaNFET드라이버를 출시했다.

이 제품은 우주로켓·인공위성·굴착드릴이나 고신뢰성 산업용 1차 및 2차 DC/DC컨버터 전원에 사용 가능하다. 페라이트 스위치 드라이버, 모터제어 드라이버 회로, 히터제어 모듈, 100V 및 28V 전력변환, 리던던시(Redundancy) 스위칭 시스템을 구동할 수 있다.

GaNFET은 실리콘 MOSFET과 비교해 최대 10배 높은 성능을 제공하며 패키지사이즈는 50% 작아졌다. 전원부 무게를 줄이고 스위칭 손실을 줄여 높은 전력효율 실현이 가능하다.

로사이드 GaNFET드라이버는 안정화된 4.5V 게이트 구동전압에서 GaNFET을 구동하고 출력을 분할구동시켜 FET의 온·오프 속도를 조정한다. 고주파동작을 위해 대 전류소스와 싱크커패빌리러티(Sink Capability)를 제공하고 전원설계에 유연성을 갖도록 반전과 비반전 양쪽게이트 구동으로 동작한다.

권상희기자 shkwon@etnews.com

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